设备品牌：益德（RC检例元件＂德国米铱＂）
设备型号：RC系列
设备产地：德国
检测时间：2s<CT<5s
后端处理：益德科技
应用场景：平整度、轮廓度、弯曲度、翘曲度检测、PV值、表面损伤
晶圆直径：All(6吋以上局部偏差)
检测精度：<1µm
Z分辨率：10 nm
XY间距：70um
系统软件：米铱 + EDAC
检测时间：2s<CT<5s
设备特点：半导体裸硅片/晶圆片研磨后一次检测全部达成
BOW(弯曲度) WARP(翘曲度) Flatness(平整度) PV值
Thickness—厚度
TTV—Total Thickness Variation总厚度偏差
电容 CT 2s<CT<100s(尺寸不限)电容测量原理的优势：
1.分辨率：0.38nm
2.线性度：≤±0.09µm
3.无磨损和非接触测量
4.对导电和非导电物体的距离与厚度测量
5.无与伦比的高精度和稳定性
6.用于高速测量的高带宽
7.适用于工业环境、电磁场和真空环境内
BOW(弯曲度) WARP(翘曲度) Flatness(平整度) PV值
Thickness—厚度
TTV—Total Thickness Variation总厚度偏差
CT 2s<CT<100s(尺寸不限)CT: 2s<CT<100s
最大测量范围：尺寸不限
最大测量速度：100mm/s
X扫描步长：0.1µm
X点间隔：2µm
Y扫描线间隔：2µm
Z向最大测量范围：3mm
Z向分辨率：36nm
